Polvo de arena de carburo de silicio negro

El carburo de silicio tiene una estructura interna compleja y estable. El tetraedro de silicio-carbono, como bloque de construcción básico, forma una estructura de red tridimensional a través de enlaces covalentes. Esta estructura no solo determina su alta dureza y resistencia al desgaste, sino que también afecta sus propiedades eléctricas y térmicas. Por ejemplo, los fuertes enlaces covalentes dificultan que los electrones se muevan libremente, lo que resulta en sus propiedades semiconductoras. La disposición de los átomos en el cristal también afecta su conductividad térmica. La disposición regular de los átomos en la estructura cristalina de SIC permite una transferencia de calor eficiente, dotándola con una conductividad térmica relativamente alta.

En términos de preparación, la reducción tradicional de carbono del método de sílice todavía se usa ampliamente en la producción industrial a gran escala debido a su proceso relativamente simple y bajo costo. Sin embargo, para satisfacer la creciente demanda de SIC de alta pureza y alta calidad en algunos campos de alta tecnología, se exploran continuamente nuevas tecnologías de preparación. Por ejemplo, el método de transporte de vapor físico (PVT) puede crecer SIC de cristal único de alta calidad. En este método, los materiales de fuente SIC se vaporizan a altas temperaturas y luego se depositan en un cristal de semillas para cultivar un solo cristal. Este método puede controlar efectivamente la tasa de crecimiento y la calidad del cristal, obteniendo cristales individuales SIC con menos defectos, que son muy importantes para las aplicaciones en el campo de semiconductores.

P: ¿Tiene control de calidad?
R: Sí, hemos ganado autenticación SGS.

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