Carburo de silicio de grado semiconductor: alimentar el futuro
Electronic-grade silicon carbide (6H/4H polytypes) sets new benchmarks with: Resistivity: >1x10⁵ Ω · cm, densidad de micropipe:<1 cm⁻²
Rugosidad de la superficie: RA menor o igual a 0. 2NM (Ready de EPI) Nuestras obleas de tipo N de 150 mm (4 grados fuera del eje) habilitan la producción de MOSFET SIC de 3.3kV con tasas de rendimiento del 99.7%, crítico para la infraestructura de carga EV.
Aplicaciones modificadas
SIC dopado: aluminio (5x10¹⁸ átomos/cm³) para contactos ohmic
Sustratos epitaxiales sic: 10-100 μm de espesor con menos o igual a 5% de variación de grosor
Quantum-grade SiC: NV center density >500/mm³ para detección cuántica
Parámetros de carburo de silicio
|
Marca |
Zhenano |
|
Producto |
Carburo de silicio |
|
Pureza |
88% 90% 98% |
|
Forma |
Arena y polvo |
|
Código HS |
284920 |
Liderazgo de calidad
Clase operativa 1 0 0 Cleanrooms (ISO 14644-1), implementamos controles de procesos VDA 6.3 y cumplimiento Semi S2/S8. En asociación con el Instituto Fraunhofer, hemos desarrollado tecnología de mapeo de defectos patentados que alcanzan niveles de contaminación metálica de 0.02PPB. Nuestros kits de envío de obleas cuentan con casetes sellados con nitrógeno con seguimiento de humedad en tiempo real.
Etiqueta: Carburo de silicio para material de abrasivos refractarios, carburo de silicio de porcelana para fabricantes de materiales de abrasivos refractarios, proveedores, fábrica