Polvo de carbie de silicio para pulir el pulido

La fabricación de carburo de silicio implica varios procesos complejos. Uno de los métodos principales es el proceso Acheson, que se desarrolló a fines del siglo XIX. En este proceso, una mezcla de arena de sílice y coque de petróleo se calienta en un horno de resistencia eléctrica a temperaturas alrededor de 2000 - 2500 grado. La alta temperatura provoca una reacción química entre el dióxido de silicio en la arena y el carbono en la coca cola, lo que resulta en la formación de carburo de silicio. Sin embargo, el proceso Acheson generalmente produce carburo de silicio con impurezas, lo que requiere más pasos de purificación.

Las técnicas de fabricación modernas se centran en producir carburo de silicio de cristal único de alta pureza para aplicaciones de semiconductores. La deposición de vapor químico (CVD) es un método ampliamente utilizado para crecer cristales individuales SIC de alta calidad. En CVD, una mezcla de silicio volátil, que contiene y precursores que contienen carbono, se introduce en un reactor de alta temperatura. Estos precursores se descomponen y depositan los átomos de silicio y carbono en un cristal de semillas, cultivando gradualmente una gran boule de cristal simple. El proceso de crecimiento debe controlarse con precisión para garantizar la calidad del cristal, ya que cualquier defecto puede afectar significativamente el rendimiento de los dispositivos basados ​​en SIC. Después del crecimiento del cristal, los bultos se cortan, se pulen y se procesan en obleas, que luego se utilizan para fabricar varios dispositivos electrónicos y optoelectrónicos basados ​​en SIC.

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