Metal de silicio de metal de alto nivel 97

Determinación simultánea de elementos de impureza de traza y traza AL, CA, Fe, Mn, P, Cr, Cu, Ni, Ti, V, Zr, AS y B Espectroscopía de emisión atómica de plasma acoplada inductivamente (ICP-AES) enSilicon Metal 97. Una muestra estándar de metal de silicio, NIST SRM -57 A, se determinó con resultados satisfactorios para la determinación de muestras de metal de silicio en condiciones optimizadas de instrumentos y medios de ensayo. Las recuperaciones de impurezas de trazas y trazas en muestras de metal de silicio fueron entre 95%~ 105%, y la desviación estándar relativa RSD fue inferior al 5%, lo que fue fácil de operar, rápido de analizar y resultados precisos y confiables.

1.En el sistema microsensor, el multicapa fusibleSilicon Metal 97El proceso de interconexión se utiliza para superar el hecho de que cuando el microsensor y el chip IC están integrados monolíticamente, la conexión de aluminio no puede resistir la temperatura alta de recocido requerida en el proceso de fabricación del microsensor, y la estructura de interconexión puede procesarse en el proceso CMOS estándar línea, que reduce el costo de fabricación. Después del tapón, la estructura de la interconexión tiene las características de una fuerte cobertura de pasos, buena estabilidad térmica, baja resistividad y grabado fácil de seco, que pueden cumplir con los requisitos de la interconexión de múltiples capas de IC a gran escala. El circuito integrado híbrido de análogo digital a gran escala compuesto por él retiene su rendimiento después de que las condiciones de recocido son 500 grados 5, h, 600 grados, 30 min, 650 grados 5 y min, respectivamente. Las condiciones de recocido anteriores cumplen con los requisitos de integración monolítica de sistemas microsensores basados ​​en películas delgadas ferroeléctricas.

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