Material de silicio de material de alto nivel

Material de silicio de material de alto nivel

Un método ICP-AES para la determinación de 14 elementos de impureza como B, Fe, AL, CA, MN, etc. en metal de silicio.
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Descripción

Descripción de los productos

 

Un recubrimiento metalúrgico de siliciuro metálico de rápida solidificación conmetal de silicioCr3Si como fase de refuerzo y siliciuro polimetálico complejo Cr2 Ni3Si como matriz se prepararon en la superficie de acero inoxidable 1Cr18Ni9Ti mediante tecnología de deposición láser utilizando polvo prealeado de Cr-Si-Ni como materia prima, y ​​su resistencia al desgaste se evaluó en condiciones de desgaste por deslizamiento. y la resistencia a la corrosión electroquímica del recubrimiento en solución de 0 .5 mol/L H2 SO4 y 3.5 % Na Cl se evaluó mediante polarización anódica. método.

 

Parámetros de productos

Carde Composición
Contenido de Si (%) Impurezas (%)
Ceñudo Alabama California P
Silicio metálico 1501 99.69 0.15 0.15 0.01 Menor o igual a 0.004%
Silicon Metal 1502 99.68 0.15 0.15 0.02 Menos o igual a 0. 004%
Silicon Metal 1101 99.79 0.1 0.1 0.01 Menos o igual a 0. 004%
Silicon Metal 2202 99.58 0.2 0.2 0.02 Menor o igual a 0.004%
Silicon Metal 2502 99.48 0.25 0.25 0.02 Menos o igual a 0. 004%
Silicio metálico 3333 99.37 0.3 0.3 0.03 Menor o igual a 0.005%
Silicon Metal 411 99.4 0.4 0.1 0.1 Menor o igual a 0.005%
Metal de silicio 421 99.3 0.4 0.2 0.1 --
Metal de silicio 441 99.1 0.4 0.4 0.1 --
Silicon Metal 551 98.9 0.5 0.5 0.1 --
Silicon Metal 553 98.7 0.5 0.5

0.3

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Metal de silicio de mala calidad 96 2 1 1 --

 

Imagen de cooperación de productos

ZhenAn7

1.Después de eliminar la matriz mediante volatilización con HF, se determinaron cuantitativamente 23 elementos de impureza como Fe, Al, Ti, Ca, Cu, As y Pb al mismo tiempo mediante espectroscopia de plasma acoplado inductivamente (ICP-AES), y el contenido de el elemento de la matrizmetal de siliciose calculó mediante el método de resta diferencial. Se probó la influencia de la interferencia entre elementos coexistentes, se optimizaron las líneas de análisis elemental y los parámetros de funcionamiento del instrumento, y se utilizó el método de corrección de fondo síncrono y el método del coeficiente K para eliminar la influencia de la interferencia entre elementos coexistentes y los factores fisicoquímicos del atomizado. inyección de la solución de prueba. El método es simple y rápido, fácil de operar y dominar, y se han obtenido resultados satisfactorios en la determinación de la recuperación, la precisión y el límite de detección.

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