Material de alto nivel Silicio Metal 2502

Un material y método de preparación con un siliciuro metálico, unmetal de silicio 2502nanoestructura, que comprende una nanoestructura de siliciuro metálico fabricada sobre un sustrato SOI; El espesor de la capa dieléctrica aislante de este sustrato SOI es 100-1000 nm y el espesor de la película de silicio es 50-500 nm. El método de preparación incluye limpieza, secado, fotoprotección positiva por rotación, exposición, revelado y fijación, y luego fabricar la estructura del patrón de máscara de la nanoestructura requerida en la superficie de la película delgada de silicio del sustrato SOI.

1.un material y método de preparación con un siliciuro metálico, unmetal de silicio 2502nanoestructura, que comprende una nanoestructura de silicida metálica fabricada en un sustrato SOI; El grosor de la capa dieléctrica aislante de este sustrato SOI es 100-1000 nm, y el grosor de la película de silicio es 50-500 nm. El método de preparación comprende que el sustrato de SOI se limpia, se seca, recubre giro con fotorresistentes positivos, expuestos, desarrollados y fijos, y la estructura del patrón de máscara de la nanoestructura requerida se fabrica en la superficie de película delgada de silicio del sustrato SOI. El grabado de iones reactivos se usa para grabar la película de silicio en el sustrato SOI en la nanoestructura requerida, la profundidad del grabado es el grosor de la película de silicio, y luego en la capa aislante que contiene la nanoestructura de silicio, la película de metal requerida para la formación de la formación de la formación de la formación de El silicidio metálico se deposita, y luego el metal y el silicio reaccionan en fase sólida por recocido de alta temperatura para formar silicidio metálico, y el metal sin reaccionar se elimina por corrosión química, es decir, la nanoestructura de silicidio metálico se forma. El método es simple y puede controlar la posición y la escala de la nanoestructura.

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