Polvo de silicio Carbie para pulir y pulir

La fabricación de carburo de silicio implica varios procesos complejos. Uno de los métodos principales es el proceso de Acheson, que se desarrolló a finales del siglo XIX. En este proceso, una mezcla de arena de sílice y coque de petróleo se calienta en un horno de resistencia eléctrica a temperaturas de alrededor de 2000 - 2500 grados. La alta temperatura provoca una reacción química entre el dióxido de silicio de la arena y el carbono del coque, lo que da como resultado la formación de carburo de silicio. Sin embargo, el proceso Acheson normalmente produce carburo de silicio con impurezas, lo que requiere pasos de purificación adicionales.

Las técnicas de fabricación modernas se centran en producir carburo de silicio monocristalino de alta pureza para aplicaciones de semiconductores. La deposición química de vapor (CVD) es un método ampliamente utilizado para cultivar monocristales de SiC de alta calidad. En el CVD, se introduce una mezcla de precursores volátiles que contienen silicio y carbono en un reactor de alta temperatura. Estos precursores se descomponen y depositan átomos de silicio y carbono en un cristal semilla, haciendo crecer gradualmente una gran bola de SiC monocristalina. El proceso de crecimiento debe controlarse con precisión para garantizar la calidad del cristal, ya que cualquier defecto puede afectar significativamente el rendimiento de los dispositivos basados ​​en SiC. Después del crecimiento del cristal, las bolas se cortan, se pulen y se procesan en obleas, que luego se utilizan para fabricar varios dispositivos electrónicos y optoelectrónicos basados ​​en SiC.

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