Cómo escarburo de silicio¿hecho?
El método más sencillo para fabricar carburo de silicio consiste en fundir arena de sílice y carbono (como el carbón) a altas temperaturas de hasta 2500 grados Celsius. El carburo de silicio más oscuro y común a menudo contiene impurezas de hierro y carbono, pero los cristales de SiC puro son incoloros y se forman cuando el carburo de silicio se sublima a 2.700 grados Celsius. Después del calentamiento, estos cristales se depositan sobre grafito a una temperatura más baja, un proceso conocido como proceso de Rayleigh.

Método Rayleigh: en este proceso, se calienta un crisol de granito a temperaturas muy altas, generalmente por inducción, para sublimar el polvo de carburo de silicio. Las barras de grafito de menor temperatura están suspendidas en una mezcla de gases, lo que esencialmente permite que el carburo de silicio puro se deposite y forme cristales.

Deposición química de vapor: los fabricantes también pueden cultivar carburo de silicio cúbico mediante deposición química de vapor, que se utiliza comúnmente en procesos de síntesis basados en carbono y en la industria de semiconductores. En este método, una mezcla química especial de gases ingresa a un ambiente de vacío y se combina antes de depositarse sobre un sustrato.

Ambos métodos de producción de obleas de carburo de silicio requieren cantidades significativas de energía, equipo y conocimientos para tener éxito.

| Sic | Carburo de silicio |
| Densidad | 3,21 g/cm³ |
| Peso molecular/masa molar | 40,11 g/mol |
| Punto de fusion | 2.730 grados |
| Fórmula compuesta | Sic |

